美科学家制造了当前世界上最密集的存储电路

美科学家制造了当前世界上最密集的存储电路，加尼福尼亚大学的研究人员日前公布了他们的存储电路研究结果。该存储电路比当前的标准存储电路密集约100倍，体积只有白细胞大小，存储容量为160,000 bit。随着科研到产业化周期的缩短，预计在不久的将来基于该技术的产品将会面世，带来的将是存储市场的变革，廉价高容量的存储设备，会给我们制造行业带来什么呢？

新的技术将大大提高电子设备的存储能力，该电路的160000位数据，由400条硅线和400条钛线按“井”状线路组成，每一个“位”只有15纳米宽，而当前的每一“位”占140纳米。预计基于该技术的产品将在2020年左右进入常规市场。